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碳化硅陶瓷采用无压烧结工艺有何特点?
日期:[2018-5-8 9:37:35]   文章录入: 金福彩票官网wingpair.com版权所有   共阅[239]次
  近年随着碳化硅制品烧结的发展,碳化硅陶瓷采用无压烧结工艺,烧结后的制品性能优良,从而成为一种很有发展前途的烧结方法。主要包括:
  通过无压烧结,碳化硅陶瓷的成型压力为140MPa,保压时间为90s;粘结剂用量为物料总质量的3%;含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结,烧结过程主要由扩散机制控制,烧结温度为2150℃;含有Al_2O_3、K_2O、Na_2O、MgO等金属氧化物作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于液相烧结,烧结过程主要由界面反应控制,烧结温度为1350℃。
  另外,采用无压烧结工艺所得碳化硅陶瓷的密度为3.16g/cm-3(相对密度98.75%),抗压强度为550MPa。添加适当含量的C+B_4C烧结助剂的碳化硅无压烧结工艺简单且易于控制,陶瓷烧结后相比于生坯有30%左右的体积收缩,可以获得致密度较高,力学性能较好的碳化硅陶瓷。
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